Als hochwertiger Lieferant von IGBT-NTC-Thermistoren mit MELF-Patch-Glasversiegelung verfügt X-Meritan über fundierte Fachkenntnisse und langjährige Erfahrung in der Branche und kann seinen Kunden Qualitätsprodukte und hervorragende Verkaufsdienstleistungen besser bieten. Wenn Sie einen IGBT mit MELF-Patch-Glasversiegeltem NTC-Thermistor benötigen, können Sie sich gerne für eine Beratung an uns wenden.
Als professioneller Exporteur beliefert X-Meritan seine Kunden mit IGBT-NTC-Thermistoren mit MELF-Patch-Glasversiegelung, die in China hergestellt werden und internationalen Qualitätsstandards entsprechen. Der IGBT ist ein vollständig gesteuertes, spannungsgesteuertes Leistungshalbleiterbauelement mit geringem Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand und wird häufig in der Leistungselektronik eingesetzt. Es kombiniert die spannungsgesteuerten Eigenschaften eines MOSFET mit den geringen Durchlassverlusten eines BJT und unterstützt Hochstrom- und Hochspannungsanwendungen mit schnellen Schaltgeschwindigkeiten und hohem Wirkungsgrad. Die Gesamtleistung des IGBT wird von anderen Leistungsgeräten nicht erreicht. Sein Vorteil liegt in der Kombination der hohen Eingangsimpedanz eines MOSFET mit dem geringen Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand eines GTR. Während GTRs eine niedrige Sättigungsspannung und eine hohe Stromdichte bieten, erfordern sie auch hohe Antriebsströme. MOSFETs zeichnen sich durch einen geringen Antriebsstromverbrauch und schnelle Schaltgeschwindigkeiten aus, leiden jedoch unter einem hohen Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand und einer geringen Stromdichte. Der IGBT kombiniert geschickt die Vorteile beider Geräte und sorgt für einen niedrigen Antriebsstromverbrauch bei gleichzeitig niedriger Sättigungsspannung.
Übertragungseigenschaften: Die Beziehung zwischen Kollektorstrom und Gate-Spannung. Die Einschaltspannung ist die Gate-Emitter-Spannung, die es dem IGBT ermöglicht, eine Leitfähigkeitsmodulation zu erreichen. Die Einschaltspannung nimmt mit zunehmender Temperatur leicht ab, wobei ihr Wert bei jedem Temperaturanstieg um 1 °C um etwa 5 mV abnimmt. Volt-Ampere-Kennlinie: Die Ausgangskennlinie, also der Zusammenhang zwischen Kollektorstrom und Kollektor-Emitter-Spannung, wird mit der Gate-Emitter-Spannung als Referenzgröße gemessen. Die Ausgangscharakteristik ist in drei Bereiche unterteilt: Vorwärtsblockierung, Aktiv und Sättigung. Im Betrieb schaltet der IGBT hauptsächlich zwischen dem Vorwärtssperr- und dem Sättigungsbereich um.
Der Hersteller bietet technologisch fortschrittliche IGBT-Module an, die mehrere Bereiche abdecken und über Vertriebsmöglichkeiten für mehrere Marken verfügen. Über professionelle Lieferanten elektronischer Komponenten bieten wir globale Vertriebsdienstleistungen an.
